為期3天的上海國際電力原件、可再生能源管理展覽會（PCIM Asia ）于2016年6月28日在上海世博展覽館盛大開幕。聚焦可再生能源技術，富士電機（中國）有限公司攜新品“四美”亮相展會，分別是富士電機X系列第7代IGBT 、使用第7代IGBT的大功率次時代核心模塊（HPnC）、面向車載應用的高電流密度六合一IGBT模塊，以及全SiC 2in1模塊（SiC MOS-FET & SiC肖特基二極管）。此外，還展示有面向三電平逆變應用的IGBT模塊、混合型IGBT模塊（Si-IGBT和SiC-肖特基二極管）、第2代SJ-MOSFET 600V系列、高速W系列單管IGBT 等。
隨著“四美”在中國市場的集中式亮相，富士電機（中國）有限公司半導體營業本部本部長塚越 敏夫和富士電機（中國）有限公司半導體營業本部營業部長徐國偉向中國工控網解讀了該部門在中國行走的行業戰略：其一，以性能更高、競爭力更強、性價比更好的產品提升其在傳統工業市場的占有率；其二，借助具有優勢的汽車功率半導體 搶抓中國新能源汽車行業發展機遇。
IGBT模塊是一種能實現節能和穩定供電的核心器件，被廣泛應用于各種工業設備如電機驅動用變頻器、不間斷電源裝置（UPS）、風能和太陽能發電設備用功率調節器等。
據塚越 敏夫和徐國偉介紹，富士電機X系列第7代IGBT 通過對構成本模塊的IGBT元件和二極管元件進行厚度減薄和微細化改進，實現了****元件結構。因此，與第6代“V系列”相比，變頻器的工作電耗降低，有助于設備的節能和降低電力成本。此外，第7代IGBT采用更為先進的封裝技術，如75A PIM-IGBT 封裝尺寸縮減36%，更趨小型化；最高連續工作溫度從以往的150℃提高至175℃，所以能做到在維持設備原尺寸不變的同時，擴展電流等級，例如50A PIM-IGBT輸出電流實現50%的增幅。
在新材料方面，前不久富士電機推出裝載新一代功率半導體元件SiC（碳化硅）的混合模塊產品系列；本次展會富士電機又帶來了全SiC 2in1模塊（SiC MOS-FET & SiC肖特基二極管），采用高耐溫環氧樹脂、絕緣基板厚銅箔層及無邦定線技術等新概念封裝，展示出全SiC模塊的優良開關特性。
“中國的經濟轉型體現在兩個方面，其一是中國經濟的轉型升級，其二是從中國制造向中國創造轉型。用戶需求一方面受到國家政策主導和行業發展推動影響，另一方面是主觀意愿的轉型提升尋求更大發展空間。”塚越 敏夫分析指出，用戶需求具體體現在對半導體原材料要求更高、產品技術要求更高、產品可靠性要求更高，同時在保證上述需求的基礎上要求有更高的性價比，甚至有的客戶抱有成本逐年遞減的需求。
面對新形勢和新需求，富士電機半導體 憑借三十多年的經驗積累不斷追求技術創新，在對產品全方位升級優化的同時，以本地化生產、快速服務響應來貼近中國用戶。如旗下深圳工廠全面導入日本精益生產管理理念，確保產品品質，縮短產品上市時間，提供本地快速服務，幫助客戶有效降低成本。基于以上，塚越 敏夫相信富士電機半導體 將在中國傳統工業領域有更加出色的表現。”
展會現場，富士電機帶來面向車載應用的最新產品高電流密度六合一IGBT模塊，可用于純電動汽車（EV）、混合動力汽車（HEV）等電動汽車。它是富士電機的汽車級 IGBT模塊的第3代產品。
與采用上代產品技術相比，第3代新品尺寸減少50%，重量減輕60%，而功率密度達到原來的約2倍；額定電壓為750V，額定電流為800A，最高工作溫度為175℃。與第2代產品一樣，第3代產品采用“直接水冷方式”，但改進了冷卻機構。冷卻風扇的材料由原來的銅換成鋁，同時更改了冷卻片的形狀和配置。另外，在IGBT模塊的冷卻片一側安裝了流水的“水槽”。通過改進水槽 的內部結構，提高產品冷卻性能。另一項改進是采用了將IGBT和二極管集成在一個芯片上的“RC-IGBT”。與分別單獨配置IGBT和二極管時相比，可以減小功率元件的芯片面積。IGBT部分采用了富士電機最新的第7代“X系列”產品。
據塚越 敏夫介紹，由于電動汽車開發周期長，富士電機與該領域合作伙伴保持零距離接觸，充分了解客戶需求共同開發定制化產品，雙方的商業合作模式并非純粹的買賣關系，而是更加注重長遠發展的戰略合作伙伴關系。鑒于IGBT模塊是新能源汽車電控系統和直流充電樁的核心器件，接下來，富士電機將在新能源汽車和充電樁領域逐步延伸。（文轉自gongkong）
